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UGBT、MOSFET - 单
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STGB10H60DF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
40A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.95V @ 15V，10A
功率 - 最大值
115W
开关能量
83µJ（开），140µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
57nC
25°C 时 Td（开/关）值
19.5ns/103ns
测试条件
400V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
107ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格，STGB10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB15N60S1EG
ON Semiconductor
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IGBT 600V 30A 117W TO220-3
暂无价格
参考库存:5573
IXBH24N170
IXYS
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IGBT 1700V 60A 250W TO247
暂无价格
参考库存:3853
IGW50N60TPXKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A TO247-3
暂无价格
参考库存:3630
RGT50NL65DGTL
Rohm Semiconductor
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FIELD STOP TRENCH IGBT
暂无价格
参考库存:4504
IXYH20N65C3D1
IXYS
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DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
暂无价格
参考库存:4574
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