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IGBT - 模块

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FAM65HR51DS2

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  • IGBT MODULE 650V 33A 135W
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
-
配置
半桥逆变器
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
33A
功率 - 最大值
135W
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
-
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同Vce 时的输入电容(Cies)
4.86nF @ 400V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
通孔
供应商器件封装
通孔
商品其它信息
优势价格,FAM65HR51DS2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGBT - 模块
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